學(xué)蝕刻機(jī)腐蝕的特性    1、工藝的嚴(yán)密性比較高穩(wěn)定性強(qiáng)，以感光油墨光固的方式做保護(hù)層。    2、邊角不會有刮花、毛刺、麻點(diǎn)等現(xiàn)象。    3、深度可自由掌控。    4、質(zhì)量可以監(jiān)控，圖像轉(zhuǎn)移錢處理環(huán)節(jié)就能判斷后面是否有問題，降低報(bào)廢率。    5、表面附著物可立即設(shè)備清理露出基板底色。    6、圖案可根據(jù)客戶要求隨時(shí)更換，單雙面異形件均可且成本低。    7、產(chǎn)量相對較高且可以加工多種金屬。    化學(xué)腐蝕機(jī)腐蝕與電腐蝕機(jī)腐蝕的特性。




在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國投入資金的就屬晶圓代工部份。具體來說，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)復(fù)雜，且資金投入的領(lǐng)域。    以處理器為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，且各類加工機(jī)臺先進(jìn)又昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬美元起跳。而一個(gè)成熟的晶圓代工廠其設(shè)備投入占總設(shè)備比重在70%～80%之間。    氧化：其目的在于生成二氧化硅薄膜。用硅作為半導(dǎo)體原材料的重要因素之一就是硅容易生長出二氧化硅膜層，這樣在半導(dǎo)體上結(jié)合一層絕緣材料，就可用做摻雜阻擋層、表面絕緣層，及元件中的絕緣部分。




 刻蝕機(jī)目前國際上主要的供應(yīng)商為應(yīng)用材料、LamResearch等。中國方面技術(shù)有慢慢追上的趨勢，即將登錄科創(chuàng)板的中微半導(dǎo)體，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺積電(2330-TW)驗(yàn)證，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。而北方華創(chuàng)則是在14nm技術(shù)有所突破。市場預(yù)估今明兩年中國刻蝕機(jī)需求分別達(dá)15億美元與20億美元。    拋光：可以使晶圓表面達(dá)到性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積工序。美國應(yīng)用材料、Rtec等均為國際上主要供應(yīng)商，中國則有中電科裝備、盛美半導(dǎo)體等。但陸廠的產(chǎn)品才剛打入8寸晶圓廠中，12寸的相關(guān)設(shè)備還在研發(fā)，明顯與國際大廠有實(shí)力上的差距。市場預(yù)計(jì)今明兩年中國拋光機(jī)需求將達(dá)3.77億美元與5.11億美元。