晶振

根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。

壓電效應(yīng)：

對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系.這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng).

作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率.

參數(shù)a. 標(biāo)稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率.

b. 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值.

d. 負(fù)載諧振電阻：晶振與外部電容相串聯(lián)，在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻值.

e.負(fù)載電容： 是指與晶振一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容.常用標(biāo)準(zhǔn)值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶振指標(biāo)

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。