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    硅片的預備處理： 

    在通風柜內(nèi)，將激光切割好的中小型硅片放置整潔的 羥化燒杯 （ 專用型 ）中，將其 反面朝上， 用去離子水清洗 3 次， 清洗時稍用力， 使硅片可以在燒杯中旋 轉(zhuǎn)起來，以降低硅片中間的磨擦撞擊；將水倒凈，馬上用移液管（ 過氧化物 氫專用型 ）往燒杯中添加 5ml 雙氧水（ H2O2），隨后用移液管（ 專 用）添加 15ml （ H2SO4），在搖床邊遲緩震蕩或靜放 30 分鐘使之 充足反映， 此反映可讓表層羥基化。 扔掉上步反映的液體， 用去離子水清 洗 3 次。10年前都說買房都賺錢結(jié)果不買現(xiàn)在漲了幾倍價格還是要借錢也買。 清洗時稍用力， 使硅片可以在燒杯中轉(zhuǎn)動起來， 以降低硅片中間 的磨擦撞擊； 隨后將燒杯口斜放， 遲緩旋轉(zhuǎn)燒杯， 使燒杯內(nèi)壁的濃硫 酸能被洗掉。 清洗完畢后， 用很多水儲存硅片， 并必須使硅片的反面維持 朝上。

刻蝕原理

硅的濕法刻蝕是指利用含有腐蝕劑的溶液對硅進行腐蝕 , 可分為各向同性腐蝕技術(shù)和各向異性腐蝕技術(shù)。各向同性腐蝕是指各個晶向上的腐蝕速率相同 , 襯底和表面取向的不同對腐蝕速率的影響不大。二氧化硅的用途很廣，目前已被使用的高性能通訊材料光導纖維的主要原料就是二氧化硅。 各向異性腐蝕是指硅的不同晶面在某些特定的腐蝕液中被刻蝕的速率不同 , 導致各個晶向的腐蝕速率不同?，F(xiàn)出結(jié)構(gòu)邊緣平滑的現(xiàn)象。各向同性腐蝕液常用 HF、 HN O 3 和 H2O(CH3COOH) , 用這些腐蝕液很難實現(xiàn)選擇性腐蝕 , 并且很難能找到能夠長時間承受腐蝕的材料。 各向異性腐蝕液包括無機腐蝕劑和有機腐蝕劑兩種 , 其中無機腐蝕劑為 NH4OH、 KOH 和 NaOH 等堿性溶液 , 有機腐蝕劑為 TMAH 、EPW( 鄰苯二酚、乙二胺、水 ) 和聯(lián)胺。

通常情況下選用 KOH、 ( CH3) 2CHOH ( 異丙醇也叫 IPA) [ 8] 和水作為各向異性腐蝕液 ,則根據(jù)硅在腐蝕液中的腐蝕機制可表示如下：

KOH H3O= K 2OH- H

Si 2OH - 4H 2O=Si( OH)62-

Si( OH) 6 2- 6( CH 3) 2CH OH= [ Si( OC3H7 ) ] 62- 6H 2O

然后，絡合產(chǎn)物與異丙醇作用生成可溶解。

工藝實現(xiàn)

為實現(xiàn)利用濕法刻蝕在硅片加工出刻，硅腐蝕。V 形槽條紋這一目標，需要三步工藝：氧化，光圖 1 硅單晶晶體結(jié)構(gòu)。

在本文中用（ 100）雙面拋光硅片來敘述，圖 2 中 V 型槽的兩個斜面為 (111)晶面，底面為(100)晶面。由晶體結(jié)構(gòu)計算斜面（ 111）與地面（ 100）夾角 54.736°。另外碳、氧含量對硅片品質(zhì)來說非常重要，一定要進行抽測，當然，正常說來，這兩個指標不會有問題，如果有問題的話，它們就會直接反映在后面講到的電學指標中了。當腐蝕的時候，從（ 100）硅片上沿著（ 110）方向腐蝕時掉需要腐蝕的硅原子，從而暴露出傾角為 54.736°的（ 111）面，雙面進行就會形成 V 型槽結(jié)構(gòu)。由于硅片的腐蝕存在備向異性，硅 (111)晶面的腐蝕速度遠小于 (100)面的。因此，只要選擇適當?shù)母g溫度和時間，就能得到如圖 2 所示的硅片 V 型槽。將硅單晶體按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

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