硅鐵冶煉的基本原理和CO在冶煉反應中的作用是什么？

       冶煉硅鐵主要原料是硅石，硅石中含二氧化硅約98﹪，二氧化硅很穩(wěn)定，硅和氧之間的親和力很強，不易分離。生產(chǎn)上為了把氧從二氧化硅分離除去，采用在礦熱爐內(nèi)高溫條件下，以焦炭中的碳奪取二氧化碳中的氧，而且溫度越高，碳奪取氧的能力隨之增強。受熱后爆裂程度較大的硅石，在冶煉時會惡化料面的透氣性，造成爐況變壞。這是因為在高溫條件下，碳對氧的結(jié)合能力比硅對氧的結(jié)合力大。

       可見高溫時有了碳，二氧化硅就不穩(wěn)定了，這時二氧化硅中的氧和碳進行反應，生成氣態(tài)的CO，通過料層從爐口逸出。二氧化硅中的氧被碳奪走后，剩下的硅與鐵形成硅鐵。

       為什么要搗爐，如何搗爐？

       搗爐是挑翻內(nèi)里粘結(jié)大塊的爐料和料面的燒結(jié)區(qū)，以增加料面的透氣性，擴大坩堝，租金爐內(nèi)化學反應加快進行。

        硅鐵冶煉時，硅石在高溫下仍具有很大的粘結(jié)性。如果不及時搗爐，影響透氣性，產(chǎn)生刺火，干過縮小，爐內(nèi)反應速度和降遼速度均減慢等。高硅硅鐵在電氣工業(yè)中可用制備半導體純硅，在化學工業(yè)中可用于制造硅酮等。顯而易見，搗爐是一項增加料面透氣性和擴大坩堝容積的重要操作。通常在出完鐵之后，原則上要搗一次爐，如果爐況很好不必每次搗，可采用扎透眼的方法，改善料面的透氣性。

       搗爐要求：搗爐速度要快，力求減少熱量損失。搗爐適應將透氣性不好的區(qū)域全挑開，注意力求少破壞坩堝。

實際生產(chǎn)中硅鐵成分容易偏析，就是同一爐或同一錠模的硅鐵，其含硅量也不同，有時甚至相差很大，75硅鐵的偏析現(xiàn)象更為嚴重。硅鐵錠的上部、底部和四周的含硅量較高，中部含硅量較低，約差1～3%。硅鐵是以焦炭、鋼屑（氧化鐵皮）、石英（或硅石）為原料用電爐冶煉制成的。為減少偏析使其成分比較均勻，75硅鐵采用深度低于100毫升淺錠的厚度不大于100毫米。

45硅鐵含硅量較低，偏析現(xiàn)象少，同時它的脆裂性大，如果用淺錠模澆注，冷凝后均成碎塊，脫模和入庫的損失很大。所以，45硅鐵采用深模澆注。