臥式磁控濺射鍍膜機

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主要用途：　　

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?

系統(tǒng)組成:　　

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。

自動磁控濺射系統(tǒng)概述

帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，大到6'旋轉(zhuǎn)平臺，可支持到4個偏軸平面磁控管。通過更換設(shè)備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)一機多用。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達10-7 Torr，15分鐘內(nèi)可以達到10-6 Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。

帶有14”立方形不銹鋼腔體，4個2”的磁控管，DC直流和RF射頻電源。 在選配方面，350 l/s渦輪分子泵，額外的磁控管和襯底加熱功能。

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磁控濺射鍍膜機導致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點：氣場和磁場

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場情況是濺射速率較高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。

磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計布氣系統(tǒng)，將布氣系統(tǒng)分級布置，保障鍍膜機腔體內(nèi)不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統(tǒng)、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。（3）在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機（4）化學氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。需要穩(wěn)定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由于磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場回路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調(diào)整的磁場變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運行。