半導體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。所以對新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。 半導體元件的每一個參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個獨特的測量電路，我公司所設計生產(chǎn)的半導體元件自動測試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數(shù)的定義，形成千變萬化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內將所須要的數(shù)據(jù)量測出來，且有些參數(shù)從量測的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內。

產(chǎn)品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅動板等?？蛇x購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

2.4短路技術條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設定 5、測試頻率：單次 2.6 NTC測試技術條件 阻值測量范圍：0～20KΩ

9）尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動態(tài)測試續(xù)流二極管 用于防止測試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?8環(huán)境要求 環(huán)境溫度：15～35℃ 相對濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～106Kpa 壓縮空氣：不小于0。-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復時間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復時間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%