為什么LED光源都用恒流驅(qū)動電源

因為采用恒流源驅(qū)動，不用在輸出電路串聯(lián)限流電阻，LED過的電流也不受外界電源電壓變化、環(huán)境溫度變化，以及LED參數(shù)離散性的影響，從而能堅持電流恒定，充沛發(fā)揮LED的各種特性。

采用LED恒流電源來給LED燈具供電，由于在電源工作期間都會自動檢測和控制流過LED的電流，因而，不用擔憂在通電的霎時有過高的電流流過LED，也不用擔憂負載短路燒壞電源。

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IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。還有特別追求薄的，采用COG封裝，再有就是目前正在興起的COF封裝。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態(tài)。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signalcircuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-DigitalConverter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產(chǎn)品。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

液晶顯示屏驅(qū)動ic中什么叫偏置？

偏置(Bias)：這一較為非常容易了解，便是液晶顯示屏的扭曲工作電壓，也就是SEG和COM中間的工作電壓，事實上它是一個模擬型號規(guī)格的驅(qū)動器波型，將會你見到的SEG和COM不一樣彎彎的扭一扭的，可是記牢液晶顯示屏驅(qū)動器與波型不相關，它只與2個波型累加以后的凈工作電壓差相關，而偏置便是各檔模擬工作電壓中至少檔相對性于輸出的工作電壓重要的占比。1反電勢檢測信號的獲得無位置傳感器無刷直流電動機的控制與有位置傳感器無刷直流電機控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。

電力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動源驅(qū)動，為提高關斷速度，實現(xiàn)快速關斷以降低關斷損耗以提高系統(tǒng)效率，在許多ACDC電源、手機充電器及適配器的驅(qū)動電路設計中，通常采用圖1所示的驅(qū)動電路，采用適當?shù)拈_關開關電阻和柵極下拉PNP管。有些大功率ACDC電源有時為了提高驅(qū)動能力，在外部采用了兩根管子組成的圖騰柱。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅(qū)動，并且要求一定的驅(qū)動能力。