半導體真空腔體的應用

中國半導體真空腔體市場近幾年快速發(fā)展,越來越多的公司也表達了進入芯片領(lǐng)域的興趣.以存儲芯片為例,以前中國國內(nèi)存儲芯片完全靠進口,今年福建晉華集成電路的內(nèi)存生產(chǎn)線有望投產(chǎn),另外長江存儲科技公司也在建設內(nèi)存和閃存芯片生產(chǎn)線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進入芯片領(lǐng)域.

據(jù)國際半導體設備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產(chǎn).報告預測,今年中國半導體設備市場規(guī)模有望達118億美元,實現(xiàn)同比43.9%的增長,并且明年市場規(guī)模有望擴大至173億美元,增長46.6%,成為大市場.而同一時期內(nèi)韓國的半導體設備市場規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國超越韓國成為全球很大半導體設備市場.

真空腔體

真空腔體是內(nèi)部為真空狀態(tài)的容器,很多先進的技術(shù)工藝均需要在真空或惰性氣體保護條件下完成,真空腔體是這些工藝過程中重要的基礎設備.

根據(jù)真空度國標真空被分為低真空（100000-100Pa）,中真空（100-0.1Pa）,高真空（0.1-10-5Pa）,超高真空（10-5-10Pa）。低真空主要應用于隔熱及絕緣、金屬熔煉脫氣、無氧化加熱、真空冷凍及干燥和低壓風洞等;高真空主要應用于真空冶金、真空鍍膜設備等領(lǐng)域;超高真空則偏向物理實驗方向。真空腔體真空腔體的加熱方式分為內(nèi)加熱和外加熱兩種,外加熱是在腔體外部加熱,依靠腔體壁將熱量傳導進來,通過熱輻射傳遞熱量。

影響真空絕緣水平的主要因素

電極資料

真空開關(guān)作業(yè)在10-2Pa以上的高真空，因為此刻氣體分子十分稀疏，氣體分子的碰撞游離對擊穿已經(jīng)不起效果，因而擊穿電壓表現(xiàn)出和電極資料有較強的相關(guān)性。

真空空隙的擊穿電壓跟著電極資料的不同而不同，研究者發(fā)現(xiàn)擊穿電壓和資料的硬度與機械強度有關(guān)。一般來說，硬度和機械強度較高的資料，往往有較高的絕緣強度。比如，鋼電極在淬火后硬度進步，其擊穿電壓較淬火前可進步80%。

此外，擊穿電壓還和陰極資料的物理常數(shù)如熔點、比熱和密度等正相關(guān)，即熔點較高的資料其擊穿電壓也較高。比照熱和密度而言亦然。這一問題的實質(zhì)是在相同熱能的效果下，資料發(fā)作熔化的概率越大，則擊穿電壓越低。

真空腔體制造技術(shù)

基板指的是一個大的法蘭適配器，可以把一個位置低的腔體或者鐘形罩連接到真空泵。基板通常有一個位于中心位置的端口或者法蘭連接裝置，可連接到真空抽氣系統(tǒng)。

脫氣箱或者脫氣室通常是腔體結(jié)構(gòu)，一般帶有鉸鏈接口，可連接不需要高真空環(huán)境的其他裝置，如塑料樣品、血液、粘合劑、化學制品或其他液體的除氣設備。

輔助井用于連接抽氣系統(tǒng)和鐘形罩。

基地井整合了基板和真空密封頸，用焊接接頭取代一個真空密封件，可以同時實現(xiàn)基板和密封設備兩個部件的功能。

鐘形罩由圓柱形的主體和一個半球形或球形的端口組成?？蛇x材料包括玻璃、金屬和塑料。標準鐘形罩的直徑是12英寸，14英寸，18英寸和24英寸。