氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結(jié)或熱壓方法制取

制取方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制取。燒造氮化硅磚的生產(chǎn)工藝流程與鎂質(zhì)磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過(guò)程中因?yàn)镸gO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。3、熱膨脹系數(shù)小，相比碳化硅等制品熱導(dǎo)率高，不易產(chǎn)生熱應(yīng)力，具有良好熱震穩(wěn)定性，使用壽命長(zhǎng)。優(yōu)勢(shì)氮化硅磚耐火性高，高溫抗壓強(qiáng)度大，抗偏堿渣腐蝕性強(qiáng)，耐熱性，對(duì)酸性渣也是有一定的適應(yīng)能力。運(yùn)用用以航空公司、冶金、機(jī)械設(shè)備、半導(dǎo)體等工業(yè)生產(chǎn)中生產(chǎn)制造耐高溫軸承、冶金鉗鍋、半導(dǎo)體地區(qū)冶煉舟器等。

Si3N4的使用溫度一般不超過(guò)1300°C

氮化硅的很多性能都?xì)w結(jié)于此結(jié)構(gòu)。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結(jié)構(gòu)，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高。本產(chǎn)品用于鋁電解槽可減薄工作層，擴(kuò)大電解槽的容積，具有高的導(dǎo)熱性能、性能和抗冰晶石侵蝕性能，對(duì)高功率鋁電解槽尤為適用。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會(huì)。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強(qiáng)度和抗沖擊性，但在1200℃以上會(huì)隨使用時(shí)間的增長(zhǎng)而出現(xiàn)破損，使其強(qiáng)度降低，在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過(guò)1300℃。

如果要在半導(dǎo)體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在相對(duì)較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進(jìn)行。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對(duì)較低的真空條件下進(jìn)行。

氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會(huì)有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。特別是當(dāng)使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)時(shí)，能通過(guò)調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來(lái)減少?gòu)埩Α?/p>

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時(shí)利用碳熱還原法和氮化對(duì)其中包含特細(xì)碳粒子的硅膠進(jìn)行處理后得到氮化硅納米線(xiàn)。硅膠中的特細(xì)碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。