憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開(kāi)關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢(shì)，因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?，包括：臨界電場(chǎng)擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

發(fā)電廠和變電站中的電力操作電源

發(fā)電廠和變電站中的電力操作電源現(xiàn)今采用的都是直流電源，它為控制負(fù)荷和動(dòng)力負(fù)荷以及直流事故照明負(fù)荷等提供電源，是當(dāng)代電力系統(tǒng)控制、保護(hù)的基礎(chǔ)。直流屏由交配電單元、充電模塊單元、硅鏈單元、直流饋電單元、配電監(jiān)控單元、監(jiān)控模塊單元及絕緣監(jiān)測(cè)單元組成。直流屏主要應(yīng)用于電力系統(tǒng)中小型發(fā)電廠、水電站、各類(lèi)變電站，和其他使用直流設(shè)備的用戶（如石化、礦山、鐵路等），適用于開(kāi)關(guān)分合閘及二次回路中的儀器、儀表、繼電保護(hù)和故障照明等場(chǎng)合。

大功率直流開(kāi)關(guān)電源的主要元件是進(jìn)口元件，以及進(jìn)口的IGBT集成厚膜驅(qū)動(dòng)電路；高頻變壓器，集成電路等其他關(guān)鍵部件均選用產(chǎn)品。直流輸出采用恒壓限流和恒流限壓工作模式。功率轉(zhuǎn)換達(dá)90％，比穩(wěn)壓器或飽和電抗器節(jié)能50％，比晶閘管穩(wěn)壓器節(jié)能25％。體積和重量?jī)H為相同規(guī)格晶閘管穩(wěn)壓器的1。 / 5左右。整機(jī)的機(jī)殼和結(jié)構(gòu)件均采用的電鍍鋅鋼板，靜電噴涂鋼板或不銹鋼板制成，關(guān)鍵電路和弱電控制電路大多經(jīng)過(guò)防腐處理，以達(dá)到防腐蝕的目的。電鍍行業(yè)的要求。