而在電路未啟動(dòng)之前，由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電，可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓，一旦電路有問題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的，一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)。●為何要按照IC的工作電壓低端取值？因?yàn)槲覀兇渭壚@組是與初級繞組相鄰繞制的，耦合效果相對而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級的輸出短路，因?yàn)轳詈闲Ч茫渭壎搪窌r(shí)VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會(huì)快速降低，降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上，避免驅(qū)動(dòng)不足。

.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點(diǎn)在后級濾波電感前面更好。因?yàn)闉V波電感前的波動(dòng)更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因?yàn)?2V的波動(dòng)可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個(gè)光耦供電取樣點(diǎn)的選擇更有利于動(dòng)態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因?yàn)槲覀兎答伈蓸拥氖?V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個(gè)繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價(jià)值的。

C(4) 在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應(yīng)盡可能使元器件平行排列。這樣，不但美觀，而且裝焊容易，易于批量生產(chǎn)。(5) 按照電路的流程安排各個(gè)功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。(6) 布局的首要原則是保證布線的布通率，移動(dòng)器件時(shí)注意飛線的連接，把有連線關(guān)系的器件放在一起。(7) 盡可能地減小環(huán)路面積,以抑制開關(guān)電源的輻擾四、 布線開關(guān)電源中包含有高頻信號，PCB上任何印制線都可以起到天線的作用，印制線的長度和寬度會(huì)影響其阻抗和感抗，從而影響頻率響應(yīng)。即使是通過直流信號的印制線也會(huì)從鄰近的印制線耦合到射頻信號并造成電路問題(甚至再次輻射出干擾信號)。