晶振

根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當(dāng)前常見的主要封裝型號(hào)有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。

壓電效應(yīng)：

對(duì)某些電介質(zhì)施加機(jī)械力而引起它們內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對(duì)位移，產(chǎn)生極化，從而導(dǎo)致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷.在一定應(yīng)力范圍內(nèi)，機(jī)械力與電荷呈線性可逆關(guān)系.這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng).

作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率.

晶振指標(biāo)

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。

濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時(shí)，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計(jì)的特殊性，所以用戶選購時(shí)應(yīng)特別說明。

石英晶體振蕩器的基本原理

壓電效應(yīng)

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場(chǎng)，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場(chǎng)，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。