我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，IC芯片的特征尺寸就要越來越小，復(fù)雜程度不斷增加，于是，電路的I/O數(shù)就會(huì)越來越多，封裝的I/O密度就會(huì)不斷增加。

電子元器件

代電子產(chǎn)品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了只半導(dǎo)體三極管，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點(diǎn)，很快地被各國應(yīng)用起來，在很大范圍內(nèi)取代了電子管。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著低消耗、、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性，所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來說明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。僅有橫截面X射線檢測技術(shù)，例如:X射線分層法，能夠克服上述條件的制約。

檢測方法/電子元器件

電容器

固定電容器的檢測

A 檢測10pF以下的小電容 因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進(jìn)行測量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。拆下的BGA器件一般情況可以重復(fù)使用，但必須進(jìn)行植球處理后才能使用。測量時(shí)，可選用萬用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無窮大。若測出阻值(指針向右擺動(dòng))為零，則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。

B 檢測10PF～0 01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。在半導(dǎo)體IC的所有封裝類型中，1996～2001年這5年期間，BGA封裝的增長速度最快。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要些 可選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應(yīng)注意的是：在測試操作時(shí)，特別是在測較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬用表指針的擺動(dòng)。

C 對(duì)于0 01μF以上的固定電容，可用萬用表的R×10k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內(nèi)部短路或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動(dòng)的幅度大小估計(jì)出電容器的容量。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。由于污染所引起的斷路現(xiàn)象，會(huì)產(chǎn)生細(xì)小的焊盤半徑和較大的元器件半徑尺寸，所以可以利用元器件半徑和焊盤半徑的差異來區(qū)分?jǐn)嗦番F(xiàn)象是否是由于污染引起的。

電解電容器的檢測

A 因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多，所以，測量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測量，大于47μF的電容可用R×100擋測量。

我公司從事機(jī)關(guān)及企事業(yè)單位淘汰報(bào)廢電子電器產(chǎn)品和各類生產(chǎn)性電子廢料及帶有電子器件的其他物件的收集、回收廢電子元件，廢電子元件回收，廢線路板回收蘇州電子芯片，蘇州回收手機(jī)排線，手機(jī)板回收，廢舊電容器回收，電解電容回收，蘇州電子元器件，蘇州顯示屏回收及綜合利用等。由于歐姆擋刻度的非線性關(guān)系，它的中間一段分度較為精細(xì)，因此應(yīng)使指針指示值盡可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%～80%弧度范圍內(nèi)，以使測量更準(zhǔn)確。

CBGA 封裝的優(yōu)點(diǎn)如下：1、氣密性好，抗?jié)駳庑阅芨?，因而封裝組件的長期可靠性高；2、與 PBGA 器件相比，電絕緣特性更好；3、與 PBGA 器件相比，封裝密度更高；4、散熱性能優(yōu)于 PBGA 結(jié)構(gòu)。