國內(nèi)外研究人員一直致力于開發(fā)取代電鍍的表面防護(hù)技術(shù)的研究,物理氣相沉積(PVD)技術(shù)作為一種環(huán)境友好技術(shù),具有很多其他技術(shù)所不具備的特點(diǎn),通過控制其工藝參數(shù)可以得到晶粒細(xì)小、厚度均勻、膜基結(jié)合力優(yōu)異的鍍層;同時(shí)由于PVD是一種干法鍍技術(shù),可以避免濕法鍍時(shí)酸性或堿性電解質(zhì)溶液殘留在磁體孔隙內(nèi)和電鍍過程中磁體吸氫而導(dǎo)致鍍層脆裂的缺點(diǎn)。而對(duì)于空間紅外輻射，普通玻璃雖能阻止室內(nèi)的熱量直接透過室外，但熱量被玻璃吸收后的二次散熱也會(huì)造成很大的損失。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒有大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。鍍膜技術(shù)在太陽能利用方面的應(yīng)用當(dāng)需要有效地利用太陽熱能時(shí)，就要考慮采用對(duì)太陽光線吸收較多、而對(duì)熱輻射等所引起的損耗較小的吸收面。并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。

主要分類有兩個(gè)大種類: 蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等 。

蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理：通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。首先，被鍍膜材料表面肯定是有灰塵的，在盡量減小材料表面灰塵的前提下，我們還應(yīng)當(dāng)注意以下幾點(diǎn)：1、真空鍍膜設(shè)備使用一段時(shí)間后，必須要對(duì)設(shè)備進(jìn)行清潔維護(hù)。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。對(duì)于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。簡(jiǎn)言之，蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法，把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑反射率的膜層，達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。