蒸發(fā)電極金屬退火

蒸發(fā)電極金屬以后需要進行退火，使得半導體表面與金屬能夠形成合金，以接觸良好（減小接觸電阻）。這時的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導體的共熔點（對于Si-Al合金，為570度）。  

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三奧氏體不銹鋼 奧氏作不銹鋼是克服馬氏作不銹鋼耐蝕性不足和鐵素體不銹鋼脆性過大

而發(fā)展起來的?；境煞譃镃rl8、Ni8簡稱188鋼。其特點是合碳量低于0.1利

用Cr、Ni配合獲得單相奧氏體組織。 奧氏作不銹鋼一般用于制造生產(chǎn)、硫酸等化工設

備構件、冷凍工業(yè)低溫設備構件及經(jīng)形變強化后可用作不銹簧和鐘表發(fā)條等。 奧氏體

不銹鋼具有良好的抗均勻腐蝕的性能但在局部抗腐蝕方面仍存在下列問題 1.奧氏體

不銹鋼的晶間腐蝕 奧氏作不銹鋼在450850℃保溫或緩慢冷卻時會出現(xiàn)晶問腐蝕。合碳

量越高晶間蝕傾向性越大。此外在焊接件的熱影響區(qū)也會出現(xiàn) 晶間腐蝕。這是由于在

晶界上析出富Cr的Cr23C6。使其周圍基體產(chǎn)生貧鉻區(qū)從而形成腐蝕原電池而造成的。這

種晶間腐蝕現(xiàn)象在前面提到的鐵 素體不銹鋼中也是存在的。 工程上常采用以下幾種方法防

止晶間腐蝕

兩段式滲氮 兩段式滲氮工藝曲線如圖2-43所示。滲氮工藝常用的氣體滲氮工藝有等溫滲氮、二段式滲氮和三段式滲氮三種方法。階段的工藝參數(shù)(除保溫時間外)與等溫滲氮相同。第二階段把滲氮溫度提高到550~560℃，以加速氮原子的擴散，縮短滲氮周期，氨分解率提高到40%~60%。根據(jù)對滲氮層的脆性要求，急速前也應提前2h提高氨分解率和溫度進行退氮處理。

兩段式滲氮的時間比等溫滲氮短，表面硬度稍微低，變形略有增大，適用于滲氮層較深批量較大的零件。