3、保護回路：U1芯片本身和3腳外圍電路構成過流保護回路;N1繞組上并聯(lián)的D1、R1、C9元件構成了開關管的反向電壓吸收保護電路，以提供Q1截止時的反向電流通路，保障Q1的工作安全;實質上穩(wěn)壓回路的電壓反饋信號，也可看作是一路電壓保護信號——當反饋電壓幅度達一定值時，電路實施停振保護動作;24V的輸出端并聯(lián)有由R18、ZD2、單向晶閘管SCR組成的過壓保護電路，當穩(wěn)壓電路失常，引起輸出電壓異常上升時，穩(wěn)壓二極管ZD2的擊穿為SCR提供觸發(fā)電流，SCR的導通形成一個“短路電流”信號，強制U1內(nèi)部保護電路產(chǎn)生過流保護動作，電路處于停振狀態(tài)。24v開關電源電路圖


像飛利浦這樣的客戶都要求ESD非常嚴的，聽說的還需要達到±20KV，哪天有這種客戶要求，你又得忙一段時間了。 13.電路設計，設計變壓器時，VCC電壓在輕載電壓要大于IC的欠壓關斷電壓值。 判斷空載VCC電壓需大于芯片關斷電壓的5V左右，同時確認滿載時不能大于芯片過壓保護值 14.電路設計，設計共用變壓器需考慮到使用輸出電壓時的VCC電壓，低溫時VCC有稍微NOSIE會碰觸OVP動作。 如果你的產(chǎn)品9V-15V是共用一個變壓器，請確認VCC電壓，和功率管耐壓 15.電路調試，Rcs與Ccs值不能過大，否則會造成VDS超過耐壓炸機。


LEB前沿消隱時間設短了，比尖峰脈沖的時間還短，那就沒有效果了還是會誤判；如果設長了，真正的過流來了起不到保護的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時，Vds會比滿載時還高，超過MOSFET耐壓就可能造成炸機。 經(jīng)驗值1nS的Delay約等于1K對100PF，也等于100R對102PF 16.畫小板時，在小板引腳的90度拐角處增加一個圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實物如圖： 實際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象 17.電路設計，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因為1N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機 19.電路調試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。