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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

快恢復二極管MURF1060CT，ASEMI原裝進口整流實力品牌，讓您不再為產品質量差、上機炸毀的問題煩惱。現此時很多采購商因為貪圖便宜而采購些不良產品導致上機問題煩惱很多，使機子停止運行耽誤了生產產品的時間；俗話說時間就是金錢，因為貪圖便宜反而使實際金額利潤損失了不少，這樣的話是得不償失。如果一開始采購質量好的快恢復二極管，便不會產生那么多的問題和煩惱了，即使因為價格差的利潤沒賺更多，但反而使工程運行更保障，客戶更加信賴，自己也不會徒添許多煩惱而耽誤了其他的事情，所以選擇一款好的元器件是十分重要的！

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采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。