華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試。400~20000nCtd(on)、td(off)開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。西門子PLC邏輯控制15）數(shù)據(jù)采集與處理單元用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換.任何產(chǎn)品都有設(shè)計使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運行具有極為重要。...等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

1）可調(diào)充電電壓源

用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調(diào)整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護(hù) 有過壓、過流、短路保護(hù)功能。

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?當(dāng)功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設(shè)定