氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴格。其次，要得到生長完1美、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個冶煉過程非常耗時耗能，將長達幾十個小時。在這個過程中如何調(diào)整控制電流和電壓，使冶煉過程能夠安全穩(wěn)定運行，電控系統(tǒng)承擔了zui艱巨的任務(wù)。

在高溫超導領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長基片和半導體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍寶石等)具有明顯的價格優(yōu)勢，且性能良好。氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。用于制作磁學薄膜、半導體薄膜、光學薄膜和高溫超導薄膜等,也可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導微波濾波器等器件。

在高溫超導領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長基片和半導體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍寶石等)具有明顯的價格優(yōu)勢，且性能良好。氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴格。其次，要得到生長好、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個冶煉過程非常耗時耗能，將長達幾十個小時。

一種氧化鎂晶體粉制備方法,使用高純氧化鎂為原料,采用球磨水化獲得漿體,球磨水化的用水量與氧化鎂的重量比大于1:2,水化溫度在50～100℃之間;球磨水化過程中需要加入表面活性劑.在100～150℃之間對漿體進行干燥,燒結(jié)溫度1600～1750℃,停留2～30小時;燒結(jié)后降溫速率為20～100℃每小時,400℃后自然降溫燒結(jié)后降溫。后將所得物料粉粹來獲得氧化鎂晶體粉。