雙靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

設備用途：

用于納米級單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質(zhì)量和牢固度。

設備組成

系統(tǒng)主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（2個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安裝機臺等部分組成。

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雙靶磁控濺射鍍膜機的特點有哪些？

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產(chǎn)品特點

1：此款鍍膜儀配置有兩個靶槍：一個靶槍配套的是射頻電源，用于非導電靶材的濺射鍍膜；一個靶槍配套的是直流電源，用于導電材料的濺射鍍膜

2：該鍍膜儀可以制備多種不同材料的薄膜，應用非常廣泛。

3：該鍍膜儀體積較小，且配備有觸摸屏控制面板，操作方便。

磁控濺射介紹

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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。微電子行業(yè)領域中，其是一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣象沉積上。