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硅錠生長(zhǎng)需要大塊的純凈多晶硅，將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長(zhǎng)大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。SEMI版的全球集成電路制造廠預(yù)測(cè)報(bào)告揭示，半導(dǎo)體廠2010年的支出預(yù)計(jì)將上升至300多億美元，較2009年同比增長(zhǎng)88%。因使用的摻雜劑不同，會(huì)成為一個(gè)P型或N型的硅錠（P型/硼，N型/磷、銻、砷）。

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然后將這些物質(zhì)加熱到硅的熔點(diǎn)——攝氏1420度之上。一旦多晶硅和摻雜劑混合物熔解，便將單晶硅種子放在熔解物的上面，只接觸表面。種子與要求的成品硅錠有相同的晶向。為了使摻雜均勻，子晶和用來熔化硅的坩堝要以相反的方向旋轉(zhuǎn)。

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全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3009.4億美元，僅實(shí)現(xiàn)微弱增長(zhǎng)0.88%，究其原因，主要是金融危機(jī)后全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇缺乏動(dòng)力，美國(guó)經(jīng)濟(jì)持續(xù)低迷，歐洲債務(wù)危機(jī)益發(fā)嚴(yán)重且缺乏統(tǒng)一、有效的救助手段，新興市場(chǎng)國(guó)家普遍通貨膨脹加劇。經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不景氣以及對(duì)通貨膨脹的抑制，直接導(dǎo)致了其對(duì)電子整機(jī)需求的減弱。此外，半導(dǎo)體廠商在金融危機(jī)期間逆市投資擴(kuò)大產(chǎn)能的市場(chǎng)效應(yīng)也集中于2012年釋放，市場(chǎng)需求放緩、制造產(chǎn)能過剩直接導(dǎo)致了產(chǎn)品價(jià)格的大幅下降，以DRAM產(chǎn)品價(jià)格下滑幅度。不少代工廠和存儲(chǔ)器公司在過去的幾個(gè)月內(nèi)宣布了增加資本開支的計(jì)劃。