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真空鍍膜之多弧離子鍍 ：該裝置的優(yōu)點是陰極電弧源既是蒸發(fā)源和離化源 ,又是加熱源和轟擊源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。②由于被蒸發(fā)材料是置于水冷堆鍋內，因而可避免容器材料的蒸發(fā)，以及容器材料與蒸鍍材料之間的反應，這對提高鍍膜的純度極為重要。離化率高,一般可達60%-80%蒸發(fā)沉積速率快, 入射粒子能量高,沉積膜的質量和附著性能好。可蒸發(fā)各種導電材料,金屬或合金, 成份不受限制。能進行反應鍍膜,缺點是易于產生液滴,組織不致密。

鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響：

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

PLD缺點：1、在鍍膜過程中，薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產生的微粒、氣態(tài)原子和分子降低質量，采取一定的措施后也

不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難，因此進一步提高薄膜的質量會比較困難.

反應濺射就是在反應氣體環(huán)境中鍍膜，濺射過程中靶材會與濺射氣體發(fā)生化學反應。反應濺射一般沉積不導電的膜層，例如：Snox,ZnOx,Siox,SiNx等。真空蒸鍍：在真空中加熱使金屬、合金或化合物蒸發(fā)，然后凝結在基體表面上的方法叫真空蒸鍍。在反應濺射系統(tǒng)中，一般都加入Ar加速反應速度，即提高濺射速率。在反應濺射氣氛中，加入工作氣體越多，濺射速率越高，當加入的工作氣體過多時，反應氣體來不急將所有濺射出來的原子反應掉，膜層內就會含有金屬，我們把這種狀態(tài)叫翻轉。在反應濺射過程中，無論翻轉與正常狀態(tài)，靶的濺射速率都沒有不反應濺射速率高。