隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無(wú)線通訊的發(fā)展，氧化鎂(MgO)單晶的需要量越來(lái)越大，發(fā)展前景非常廣闊。在各領(lǐng)域應(yīng)用中，氧化鎂(MgO)單晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之間，甚至更大。氧化鎂（MgO）是極1好的單晶基片而廣泛應(yīng)用于制作鐵電薄膜、磁學(xué)薄膜、光電薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動(dòng)通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是光電產(chǎn)業(yè)和無(wú)線通訊的發(fā)展，氧化鎂(MgO)單晶的需要量越來(lái)越大，發(fā)展前景非常廣闊。在各領(lǐng)域應(yīng)用中，氧化鎂(MgO)單晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之間，甚至更大。目前生產(chǎn)氧化鎂(MgO)晶體的主流技術(shù)是電弧爐熔融法。主要通過(guò)高溫電弧作熱源在原料中心形成熔體，在加熱過(guò)程停止后熔體經(jīng)自然冷卻得到晶體。傳統(tǒng)的電弧爐的結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，爐殼是由耐火磚與鋼殼構(gòu)成，電極的功率和位置控制主要是靠經(jīng)驗(yàn)手動(dòng)操作。

氧化鎂晶體的雙折射特性

可集成太赫茲波帶片和偏振片是重要的太赫茲光學(xué)元器件。由傳統(tǒng)的石英晶體及液晶等材料制作的太赫茲波帶片和偏振片由于其對(duì)太赫茲光響應(yīng)度低并難于集成而難以應(yīng)用于太赫茲集成光學(xué)領(lǐng)域。為了尋找用以制備可集成太赫茲偏振元件的材料，本工作應(yīng)用太赫茲焦平面成像方法研究了晶向的氧化鎂晶體對(duì)太赫茲波段圓偏振光偏振態(tài)的影響。