如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測(cè)？

?測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測(cè)試系統(tǒng)簡介

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：

☆可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2000V及50A。

☆外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展1600A。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。C：脈沖寬度50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>。

9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 用于防止測(cè)試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%