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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過歐盟rosh以及美國ul認(rèn)證，銷售覆蓋全球。

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下.因此相比較之下，ASEMI肖特基二極管與快恢復(fù)二極管各有各的優(yōu)勢，兩者互相彌補(bǔ)，成就了ASEMI專業(yè)整流12年的佳話！

MUR2060CTR產(chǎn)品參數(shù)與整流原理圖

“陽”指的是正極、正向電流或者指輸入，“共陽”意味著共用一條引線作為輸入端。MUR2060CTR是共陽管，就表明這個(gè)型號的快恢復(fù)二極管的輸入正向電流是共用一條引線的。由下圖可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封裝，有3條引腳，即引線；共用的一條引線為中間的引腳，因此電流方向是兩段輸出，中間輸入的。