國內生產刻蝕機水平高的企業(yè)為中微半導體設備（上海）有限公司（這家同樣是有國資背景的企業(yè)，前兩大股東也是國有企業(yè)，所以有人說我國光刻機沒發(fā)展起來是因為國企的原因，這是不對的，中微半導體也可以說是國企，但是刻蝕機的技術水平是世界水平的。國內刻蝕機的發(fā)展離不開尹志堯為代表的幾十位海歸技術。尹志堯曾經擔任應用材料的公司副總裁（應用材料是半導體設備廠商老大），參與領導幾代等離子體刻蝕設備的開發(fā)，在美國工作時就持有86項。2004年回來之后，國家牽頭設立了中微半導體公司，尹志堯等人重新投入研發(fā)刻蝕機，僅僅用了3年的時間就做出了世界的刻蝕機，為此美國人無法接受，還起訴了中微半導體侵權，但是終的驗證結果是沒有任何的侵權。（這才是中微半導體比上海微電子發(fā)展快的原因，畢竟上海微電子的沒有人才在荷蘭的ASML工作過，也許正是因為這件事，所以美國現(xiàn)在禁止ASML招聘中國的員工）。我國的刻蝕機技術位于，中微半導體的介質刻蝕機贏進入臺積電7nm、10nm的生產線，中微半導體的刻蝕機制造工藝達到了5nm，已經通過了臺積電的驗證




等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應，反應的揮發(fā)性副產物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應室的內部安裝成擱架形式，這種設計的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法：反應性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。

蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。在化學蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，化學蝕刻機是將材料用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。

光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時""到硅片上的過程。

光柵刻畫:光學中光柵通常的作用是色散。光柵刻劃是制作光柵的方法之一。