華科智源IGBT測試儀針對 IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)；在調試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。自動化程度高（按照操作人員設定的程序自動工作），計算機可以記錄測試結果，測試結果可轉化為文本格式存儲，測試方法靈活（可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試），安全穩(wěn)定（對設備的工作狀態(tài)進行全程實時監(jiān)控并與硬件進行互鎖），具有安全保護功能，測試速度方便快捷。

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內重復測試精度?？梢苿有蛢x器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數(shù)值。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。3電流持續(xù)時間It：10~1000us單個脈沖或雙脈沖的總時間。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關斷時間 toff

開通損耗 Eon 關斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec