半導(dǎo)體真空腔體的應(yīng)用

中國半導(dǎo)體真空腔體市場近幾年快速發(fā)展,越來越多的公司也表達(dá)了進(jìn)入芯片領(lǐng)域的興趣.以存儲芯片為例,以前中國國內(nèi)存儲芯片完全靠進(jìn)口,今年福建晉華集成電路的內(nèi)存生產(chǎn)線有望投產(chǎn),另外長江存儲科技公司也在建設(shè)內(nèi)存和閃存芯片生產(chǎn)線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進(jìn)入芯片領(lǐng)域.

據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設(shè)項(xiàng)目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產(chǎn).報告預(yù)測,今年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)118億美元,實(shí)現(xiàn)同比43.9%的增長,并且明年市場規(guī)模有望擴(kuò)大至173億美元,增長46.6%,成為大市場.而同一時期內(nèi)韓國的半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國超越韓國成為全球很大半導(dǎo)體設(shè)備市場.

真空腔體加工的注意事項(xiàng)

焊接是真空腔體制作中的環(huán)節(jié)之一。通常采用弧焊來完成焊接，可避免大氣中熔化的金屬和氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而影響焊接質(zhì)量，弧焊是指在焊接過程中向鎢電極周圍噴射保護(hù)氣體氣，以防止熔化后的高溫金屬發(fā)生氧化反應(yīng)。

超高真空腔體的弧焊接，原則上必須采用內(nèi)焊，即焊接面是在真空一側(cè)，以免存在死角而發(fā)生虛漏。真空腔體不允許內(nèi)外雙重焊接和雙重密封

個大氣壓在1cm2的面積上產(chǎn)生約1kgf的壓力，對直徑20cm的法蘭來講，就是1t的壓力。圓筒或球形的腔體，由于構(gòu)造的特殊性使得壓力分散，腔體的壁厚2～4mm就不會變形。

但是，對于方形腔體，側(cè)面的平板上要承受上噸的壓力，必須通過增加壁厚或設(shè)置加強(qiáng)筋，才能防止變形。

真空腔體真空概念

真空是物理學(xué)里面的一個概念,反映的是空無一物的狀態(tài).在二十世紀(jì)的時候狄拉克提出了真空的概念,即真空并不是無物而是有實(shí)物粒子和虛粒子轉(zhuǎn)化的,但整體對外是不顯示物理屬性的宏觀總體.真空就像是一個能量海,不斷振蕩并且充滿著巨大能量.

真空的屬性確實(shí)是需要用空間來描述,但只是種數(shù)學(xué)表示,是為了方便研究才引入的參量,并不是說真空的性質(zhì)取決于空間.

真空技術(shù)是建立在低于大氣壓力的環(huán)境下,以及在此環(huán)境中進(jìn)行工藝制作、科學(xué)試驗(yàn)和物理測量等所需要的技術(shù).

用現(xiàn)代抽氣方法獲得的很低壓力,每立方厘米的空間里仍然會有數(shù)百個分子存在.

氣體稀薄程度是對真空的一種客觀量度 ,直接的物理量度是單位體積中的氣體分子數(shù).氣體分子密度越小,氣體壓力越低,真空就越高.真空常用帕斯卡或托爾做為壓力的單位.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極的幾許形狀

電極的幾許形狀對電場的分布有很大的影響，往往因?yàn)閹自S形狀不行恰當(dāng)，引起電場在部分過于集中而導(dǎo)致?lián)舸@一點(diǎn)在高電壓的真空產(chǎn)品中特別杰出。

電極邊際的曲率半徑大小是重要因素。一般來說，曲率半徑大的電極接受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即跟著電極面積的增大而有所下降。面積增大導(dǎo)致耐壓下降的原因主要是放電概率添加。