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發(fā)布時(shí)間:2020-12-18 19:40  
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低本底測(cè)量
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低本底是指再被測(cè)放射性樣品中,除本實(shí)驗(yàn)感興趣的核素以外的其他因素(包括樣品的干擾核素)在輻射探測(cè)器中產(chǎn)生的信號(hào)。低本底測(cè)量是指在低本底條件下對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)量,相應(yīng)使用的儀器稱為低本底探測(cè)器。
低本底探測(cè)器往往選用放射性雜質(zhì)少的材料或經(jīng)過純化的材料制作探測(cè)器及整個(gè)裝置。除α探測(cè)器外,低本底探測(cè)器周圍要適當(dāng)增加物質(zhì)屏蔽,以防止宇宙射線和周圍環(huán)境中的射線引起的本底。常用的屏蔽材料為鉛和鋼。5×10-2s-1/(Bq·g-1)[對(duì)于241Am粉末源(10。對(duì)探測(cè)器和測(cè)量系統(tǒng)的工作條件也要做適當(dāng)?shù)倪x擇,以減少噪聲和外界電磁場(chǎng)的干擾等因素引進(jìn)的本底計(jì)數(shù)。
低本底測(cè)量?jī)x主要技術(shù)指標(biāo)
主要技術(shù)指標(biāo)
儀器對(duì)于90Sr-90Yβ源(活性區(qū)Φ20mm)的2π探測(cè)效率比≥50%時(shí), 本底≤0.15cm-2min-1;
儀器對(duì)于241Amα源(活性區(qū)Φ25mm)的2π探測(cè)效率比≥80%時(shí), 本底≤0.005cm-2min-1;
α/β交叉性能:α進(jìn)入β道的計(jì)數(shù)比<3%(對(duì)241Am), β進(jìn)入α道的計(jì)數(shù)比<0.5%(對(duì)于90Sr-90Y);
長(zhǎng)期穩(wěn)定性
重復(fù)性:儀器連續(xù)通電8小時(shí),探測(cè)效率變化<±10%;
本底穩(wěn)定性:在8小時(shí)的測(cè)量時(shí)間內(nèi),本底計(jì)數(shù)變化應(yīng)在(Nb±3σ)的范圍內(nèi),其中Nb為本底計(jì)數(shù)的平均值,σ為本底計(jì)數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)誤差。
儀器靈敏度:α≥5×10-3Bq;β≥1×10-2Bq
耐壓絕緣度>1500V;
絕緣電阻≥2MΩ;
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中核控制是您不二的選擇
低本底α、β測(cè)量?jī)x的儀器特點(diǎn)
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1. 儀器分為單路、二路、四路三種配置,符合GB/T11682-2008國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求
2. 采用波形識(shí)別技術(shù),較大幅度提高了α探測(cè)效率
3. 探測(cè)器采用α、β雙閃爍體,高靈敏,低本底,穩(wěn)定可靠
4. 同時(shí)測(cè)量α、β的總活度,亦可單獨(dú)測(cè)量α或β
5. 中文軟件界面,快速實(shí)時(shí)顯示各項(xiàng)檢測(cè)指標(biāo),易操作、實(shí)用性強(qiáng)
低本底的性能介紹
低本底測(cè)量?jī)x有多獨(dú)立的主探測(cè)器,可同時(shí)測(cè)多個(gè)樣品,分別給出多個(gè)樣品中的總α、總β活度濃度測(cè)量。
儀器須經(jīng)國(guó)家計(jì)量部門嚴(yán)格檢定,全部性能指標(biāo)應(yīng)符合國(guó)家規(guī)定Ⅱ級(jí)以上標(biāo)準(zhǔn)的要求。每次可單獨(dú)測(cè)量一個(gè)樣品中α或β,或αβ同時(shí)測(cè)量。
探測(cè)器采用低噪聲光電倍增管和藍(lán)光塑閃組成,降低自吸收,大限度提升探測(cè)效率;不怕污染、表面可以擦洗、經(jīng)久耐用。
測(cè)量時(shí)間、探測(cè)器的閾值和高壓都可根據(jù)要求通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)自動(dòng)調(diào)節(jié),非機(jī)械旋鈕控制,減小操作誤差,降低實(shí)驗(yàn)人員工作量。
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