優(yōu)點(diǎn)化學(xué)拋光的優(yōu)點(diǎn)是化學(xué)拋光設(shè)備簡(jiǎn)單，不需要什么特殊設(shè)備，只需要一個(gè)盛拋光液的玻璃杯和夾持試樣的夾子就可以了。如果用細(xì)薄磨料片切割的試樣，切割后不需要砂紙磨光，即可直接拋光。有些非導(dǎo)體材料也可以用化學(xué)拋光，非導(dǎo)體嵌鑲的試樣也可以直接拋光?；瘜W(xué)拋光也可以處理形狀比較復(fù)雜的零件

缺點(diǎn)1、化學(xué)拋光的質(zhì)量不如電解拋光。2、化學(xué)拋光所用溶液的調(diào)整和再生比較困難，在應(yīng)用上受到限制。3、化學(xué)拋光操作過(guò)程中，散發(fā)出大量黃棕色有害氣體，對(duì)環(huán)境污染非常嚴(yán)重。4、拋光溶液的使用壽命短，溶液濃度的調(diào)節(jié)和再生比較困難

使用方法：1． 使用 工藝處理濃度: 建議控制條件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用處理溫度 &nbs p; 65-75℃ 70℃處理方法 &nbs p; 攪拌浸泡處理時(shí)間 &nbs p; 5-10分鐘 5min注：使用前 采用恒溫加熱35℃和均勻的攪拌，建議采用石英加熱器加熱。2． 處理流程工件脫脂 水洗 侵入化拋劑 清洗（2-3次） 烘干或后處理工序。建 浴：1、清槽 建議使用鋼體結(jié)構(gòu)內(nèi)襯PP或PE材料，首先使用 堿液清洗后再使用鹽酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用純水清洗一遍；2、配制 原液使用。廢水處理：廢水處理按常規(guī)化學(xué)品處理，同時(shí)應(yīng)遵循 有關(guān)的化學(xué)應(yīng)用規(guī)則，注意事項(xiàng)：在接觸化學(xué)品時(shí)，必須閱讀、理解和遵循MSDS上 的急救和處理建議。貯存時(shí)注意：貯存處應(yīng)陰涼、干燥、避光。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

1. LED行業(yè)LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高，普通磨料難以對(duì)其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對(duì)藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。