KOAN 晶體濾波器(MCF)： 參數(shù)介紹：插入損耗和帶內(nèi)波動，帶內(nèi)相位線性度

插入損耗：由于濾波器的引入對電路中原有信號帶來的衰耗，以中心或截止頻率處損耗表征，信號源直接傳送給負(fù)載阻抗的功率（P0）和插入濾波器后傳送給負(fù)載阻抗的功率（P1）之比的對數(shù)值，常用分貝（dB）為單位進行度量，表示為IL=10 lg （P0/ P1）。帶內(nèi)相位線性度：表征濾波器對通帶內(nèi)傳輸信號的相位失真度。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數(shù)介紹：帶內(nèi)駐波比，阻帶抑制度

帶內(nèi)駐波比(VSWR)：衡量濾波器通帶內(nèi)信號是否良好匹配傳輸?shù)囊豁椫匾笜?biāo)。理想匹配 VSWR=1：1，失配時 VSWR>1。對于一個實際的濾波器而言，滿足 VSWR<1.5：1 的帶寬一般小于 BW3dB，其占 BW3dB 的比例與濾波器階數(shù)和插損相關(guān)。

阻帶抑制度：衡量濾波器選擇性能好壞的重要指標(biāo)。該指標(biāo)越高說明對帶外干擾信號抑制的越好。濾波器階數(shù)越多矩形度越高——即 K 越接近理想值 1，制作難度當(dāng)然也就越大。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) ，EMI ： 和差分輸出晶振的共同目標(biāo)降低電磁干擾

電磁干擾被定義為當(dāng)一個設(shè)備的電磁場通過輻射和/或傳導(dǎo)路徑干擾,阻礙或降低另一個設(shè)備的電磁場時自然發(fā)生的現(xiàn)象.電磁干擾會導(dǎo)致兩個或多個電子設(shè)備相互干擾,并影響它們的性能和操作。電磁干擾是對頻率源輻射能量的測量,通常在給定頻率下以 dBmV/m(分貝-伏特每米)為單位進行測量.輻射能量越大,該參數(shù)越大.因此,頻率源發(fā)射的能量越多,產(chǎn)生的電場和電磁干擾就越大.定義電磁干擾測量的頻譜時,需要區(qū)分峰值電磁輻射和平均電磁輻射.平均發(fā)射被定義為給定頻譜上的平均 dBmV/m 水平.峰值發(fā)射定義為給定頻譜內(nèi)任何頻率下的大dBmV/m 水平.

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晶體濾波器簡介

1921年W.G.凱地將晶體諧振器用于各種調(diào)諧電路 ，形成了晶體濾波器的雛形。1927年L.艾斯本希德把晶體諧振器用于真正的濾波電路 。1931年W.P.梅森又把它用于格型濾波器。60年代中期，集成式晶體濾波器研制成功，晶體濾波器在小型化方面有了很大發(fā)展。石英晶體諧振器是常用的晶體諧振器之一，它在濾波器中主要用作窄帶通濾波器。鉭酸鋰或鈮酸鋰晶體諧振器的耦合系數(shù)和頻率常數(shù)較大，適用于制做高頻寬帶通濾波器。其他壓電材料因溫度穩(wěn)定性較差，很少采用。

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