化學氣相沉積的原理

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化學氣相沉積技術(shù)是應用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學反應和傳輸反應等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

（1）形成揮發(fā)性物質(zhì) ；

（2）把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ；

（3）在固體上產(chǎn)生化學反應并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ?；镜幕瘜W氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。

化學氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?；瘜W氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導體層?；瘜W氣相沉積法在金屬材料方面的使用想要了解更多化學氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，請及時關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司網(wǎng)站。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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等離子體化學氣相沉積

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等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發(fā)并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術(shù)。等離子體化學氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發(fā)并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術(shù)。