KOAN 壓控振蕩器對晶體諧振器的要求

晶振的動態(tài)電容與頻率的牽引成正比，負(fù)載電容大小及其變化大小與頻率牽引成反比，選用基頻并增大動態(tài)電容可加大牽引，但諧振器的動態(tài)電感減小，Q值下降，頻率穩(wěn)定度必然下降。為保證振蕩器能順利起振，并具有較好的穩(wěn)定度，電感 L1 不能用得過大。

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KOAN 壓控晶振的高低電平，脈沖寬度，占空比概述

電源電壓 Vdd /-10%，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，閥值電平 Vdd50%，不定電平 Vdd10%-Vdd90%，高電平噪聲容限 Vdd90%-Vdd50%，低電平容限Vdd10%-Vdd50%，脈沖寬度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脈沖寬度 t與脈沖周期 T 的比值。

壓控振蕩器的類型介紹

壓控振蕩器的類型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術(shù)要求主要有：頻率穩(wěn)定度好、控制靈敏度高、調(diào)頻范圍寬、頻偏與控制電壓成線性關(guān)系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，但調(diào)頻范圍窄；RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調(diào)頻范圍寬，LC壓控振蕩器居二者之間。

壓控振蕩器

通過改變外加調(diào)整電壓的大小，能改變?nèi)菪载?fù)載CL的值，從而實現(xiàn)頻率的調(diào)整。頻率調(diào)制和頻率捷變技術(shù)中，由于VCXO不具備溫度補償功能，因此在PCB布局時，應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱源。當(dāng)控制電壓調(diào)整為中央電壓時，VCXO輸出標(biāo)稱頻率，此原理常用于晶振頻率的電校準(zhǔn) (例如VCTCXO)鎖相環(huán)電路中。壓控頻偏和壓控線性矛盾是壓控晶振的主要問題。對于晶振頻率進(jìn)行電壓調(diào)整總是以犧牲晶振的頻率穩(wěn)定度為代價的。用戶選擇頻偏范圍時，盡量選擇頻偏較小，夠用即可，這樣的壓控線性比較好。

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