光刻膠市場(chǎng)

全球光刻膠市場(chǎng)擴(kuò)增，對(duì)光刻膠的總需求不斷提升。芯片光刻的流程詳解（二）所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。據(jù)估計(jì)，2015年國(guó)際光刻膠市場(chǎng)達(dá)73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%，半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間，國(guó)際光刻膠市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率約為5.8%；據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國(guó)際市場(chǎng)增速均在5%左右。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，江瀚咨詢預(yù)計(jì)國(guó)際光刻膠市場(chǎng)規(guī)模在2022年可能突破100億美元。

全球市場(chǎng)

目前，光刻膠單一產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模與海外巨頭公司營(yíng)收規(guī)模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。但由于光刻膠技術(shù)門檻高，就某一光刻膠子行業(yè)而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商有產(chǎn)品供應(yīng)。

由于光刻膠產(chǎn)品技術(shù)要求較高，中國(guó)光刻膠市場(chǎng)基本由外資企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國(guó)公司，包括陶氏化學(xué)、JSR株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。目前，國(guó)外阻抗已達(dá)到15次方以上，而國(guó)內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級(jí)的要求，有的工藝雖達(dá)標(biāo)了，但批次穩(wěn)定性不好。

而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國(guó)際水平存在較大差距。芯片光刻的流程詳解（一）在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。超過(guò)80%市場(chǎng)份額掌握在日本住友、TOK、美國(guó)陶氏、美國(guó)futurrex等公司手中，國(guó)內(nèi)公司中，蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國(guó)產(chǎn)化，但是整體技術(shù)水平較低，僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。

PR1-1500A1負(fù)性光刻膠公司

6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。

堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min

7，顯影檢驗(yàn)

光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡

小孔、小島。

NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì)：

- 優(yōu)異的分辨率性能

- 快速地顯影

- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度

- 耐受溫度100℃

- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年

正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對(duì)于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對(duì)金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對(duì)比分析。為了實(shí)現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術(shù)遇到瓶頸，EUV(13。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨(dú)特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點(diǎn)指出了工藝中的關(guān)鍵點(diǎn)及容易出現(xiàn)的問(wèn)題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對(duì)片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對(duì)曝光時(shí)同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過(guò)腐蝕過(guò)程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。