3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA；操作系統(tǒng)、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能。 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測試 0.1～5V 二極管導通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；（正本、副本）技術(shù)資料，應至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應滿足測試需求）18）其他輔件。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數(shù)及指標 2.1開關(guān)時間測試單元技術(shù)條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

4驗收和測試 3)驗收試驗應在-10～40℃環(huán)境溫度下進行，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。 4)測試單元發(fā)貨到買方前，賣方應進行出廠試驗。2測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案，直至買方評估合格。