2、穩(wěn)壓回路：開(kāi)關(guān)變壓器的N3繞組、D6、C13、C14等元件組成的24V電源，基準(zhǔn)電壓源TL1、光耦合器U2等元件構(gòu)成了穩(wěn)壓控制回路。U1芯片和1、2腳外圍元件R7、C12，也是穩(wěn)壓回路的一部分。實(shí)際上，TL1、U1組成了（相對(duì)于U1內(nèi)部電壓誤差放大器）外部誤差放大器，將輸出24V的電壓變化反饋回U1的反饋電壓信號(hào)輸入端。當(dāng)24V輸出電壓上升時(shí)，U1的2腳電壓上升，1腳電壓下降，輸出PWM脈沖占空比下降，輸出電路回落。當(dāng)輸出電壓異常上升時(shí)，U1的1腳下降為1V時(shí)，內(nèi)部保護(hù)電路動(dòng)作，電路停振。


處理異音的方法之一 23.浸漆的TDK RF電感與未浸漆的鼓狀差模電感，浸漆磁芯產(chǎn)生的噪音要小12dB 處理異音的方法之二 24.變壓器生產(chǎn)時(shí)真空浸漆，可以使其工作在較低的磁通密度，使用環(huán)氧樹(shù)脂黑膠填充三個(gè)中柱上的縫隙 處理異音的方法之三25.電路設(shè)計(jì)，啟動(dòng)電阻如果使用在整流前時(shí),要加串一顆幾百K的電阻。理由：電阻短路時(shí),不會(huì)造成IC和MOSFET損壞。 26.電路設(shè)計(jì)，高壓大電容并一顆103P瓷片電容位置。理由：對(duì)幅射30-60MHz都有一定的作用。 空間允許的話PCB Layout留一個(gè)位置吧，方便EMI整改 27.在進(jìn)行EMS項(xiàng)目測(cè)試時(shí)，需測(cè)試出產(chǎn)品的程序，直到產(chǎn)品損壞為止。


理由：開(kāi)關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長(zhǎng)短一至，焊盤(pán)孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長(zhǎng)是一樣長(zhǎng)的，當(dāng)兩個(gè)焊盤(pán)孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過(guò)AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問(wèn)題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性


63.一個(gè)恒壓恒流帶轉(zhuǎn)燈的PCB設(shè)計(jì)走線方法和一個(gè)失敗案例。 PCB設(shè)計(jì)走線方法請(qǐng)看圖：(a) 地線的Layout原則如(1)(2)(3)綠線所示，R11的地和R14的地連接到芯片的地，再連接到EC4電解電容的地。注意不可連到變壓器的地，因?yàn)樽儔浩鞔渭?jí)A->D3->EC4->次級(jí)B形成功率環(huán)，如果ME4312芯片的地接到次級(jí)B線到EC4電容之間，受到較強(qiáng)的di/dt干擾會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定等因素。 失敗案例： 造成的問(wèn)題：轉(zhuǎn)燈時(shí)紅燈綠燈一起亮，并且紅燈綠交替閃爍。