湖北豐熱科技有限公司（原武漢離子熱處理研究所），專業(yè)制造輝光離子滲氮爐的高新技術(shù)企業(yè)；是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售安裝輝光離子滲氮爐，并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術(shù)服務(wù)。

離子滲碳是將工件裝入溫度在900℃以上的真空爐內(nèi)，在碳?xì)浠衔锏臏p壓氣氛中加熱，同時(shí)在工件( 陰極)和陽極之間施加高壓直流電，產(chǎn)生輝光放電現(xiàn)象，使活化的碳被離子化，在工件附近加速并轟擊工件表面進(jìn)行滲碳的工藝。

雙極性脈沖中頻靶電源一般帶孿生靶或雙靶運(yùn)行。在運(yùn)行的射頻輝光放電等離子體中，由于離子和電子遷移率的不同將導(dǎo)致陰極負(fù)偏壓的形成，在陰極表面建立一個(gè)直流負(fù)偏壓是進(jìn)行射頻濺射工藝的必要條件。兩個(gè)靶的工作電壓極性相反同時(shí)又不斷互換極性，電壓極性為負(fù)時(shí)的磁控靶發(fā)生濺射，極性為正時(shí)的那個(gè)磁控靶不產(chǎn)生濺射。??由于陰陽極間電場(chǎng)正負(fù)極性來回變化，使電子路徑延長(zhǎng)，與工作氣體碰撞次數(shù)增加，故單個(gè)磁控靶承載同樣功率(其它真空環(huán)境條件相同)時(shí)，選用雙極脈沖中頻靶電源比用純直流靶電源和脈沖直流中頻靶電源時(shí)，工作氣體的離化幾率和靶材的沉積速率均要高一些。??磁控靶陰極電壓極性為負(fù)時(shí)，其單脈沖氣體放電應(yīng)與直流氣體放電伏-安特性曲線異常輝光放電段及之前段的變化規(guī)律(趨勢(shì))相符。??

射頻磁控濺射氣體放電時(shí)，由于射頻靶電源輸出交變高頻正弦電壓波形，致使電子碰撞工作氣體的幾率大為增多，工作氣體離化率高，等離子阻抗低，射頻磁控濺射膜層沉積速率為二極射頻濺射的數(shù)倍。輝光放電的特征是電流強(qiáng)度較?。s幾毫安），溫度不高，故電管內(nèi)有特殊的亮區(qū)和暗區(qū)，呈現(xiàn)瑰麗的發(fā)光現(xiàn)象。 。當(dāng)電源輸出脈沖的重復(fù)頻率很低(例如幾百HZ以下)或滅弧時(shí)間過長(zhǎng)(大于100ms以上)，濺射靶起輝放電后，由于真空腔體內(nèi)的導(dǎo)電離子已基本被中和掉，第二個(gè)(以后)重復(fù)脈沖的復(fù)輝電壓恢復(fù)至較高數(shù)值，與點(diǎn)火起輝時(shí)的高電壓接近或相同。