現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換.培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測(cè)試，并能解決實(shí)際工程問(wèn)題。...等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象

*1）功能

GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

*2）測(cè)試對(duì)象

被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)

測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。

14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤(pán)：1TB；內(nèi)存4G；

?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器；

?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。

?西門(mén)子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測(cè)試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測(cè)試需求

?狀態(tài)監(jiān)測(cè)：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機(jī)：基于Labview人機(jī)界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動(dòng)態(tài)測(cè)試波形可存儲(chǔ)為數(shù)據(jù)格式；所檢測(cè)數(shù)據(jù)可傳遞至上位機(jī)處理；從檢測(cè)部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動(dòng)列表顯示相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測(cè)部分內(nèi)容可擴(kuò)展