鋼研納克SparkCCD7000

高分辨率 CCD 檢測(cè)器

像素?cái)?shù)：3648 46 全行業(yè)較高

像素尺寸：8μm 全行業(yè)較小

精薄鍍膜，紫外波段檢出限更低，可做低含量 N

萬(wàn)級(jí)超凈環(huán)境下打造較優(yōu)光學(xué)系統(tǒng)

帕邢 - 龍格結(jié)構(gòu)羅蘭光學(xué)系統(tǒng)，無(wú)像差，分辨率均勻

高發(fā)光全息光柵，光柵焦距 500mm, 刻線為 2700 條 /mm，全行業(yè)較高

線分辨率 0.7407nm/mm

像素分辨率 0.005926nm

譜線范圍：130-800nm（可分析 N、Li、 Na、K 等元素）

智能控制系統(tǒng)，再啟動(dòng)耗時(shí)行業(yè)較低

潮汐式?jīng)_洗方式，冷機(jī)（關(guān)機(jī) 12 小時(shí)）啟動(dòng)只需 30min，熱機(jī)啟動(dòng)時(shí)間 5min

智能判斷分析間隔時(shí)間，合理補(bǔ)充氣，降低氣消耗

60ml/min 超低待機(jī)流量，一瓶氣 24 小時(shí)待機(jī) 70 天

分片式曝光，痕量元素識(shí)別強(qiáng)度大幅提高，檢出限更低

一次激發(fā)，分片曝光，同時(shí)采集，同時(shí)回?cái)?shù)

獨(dú)立控制不同 CCD 的積分曝光時(shí)間

提升痕量元素的強(qiáng)度，降低儀器的檢出限

隨波段調(diào)節(jié)積分時(shí)間，提升儀器的 穩(wěn)定性

現(xiàn)在有些品牌號(hào)稱能夠用火花直讀光譜儀(OES)直接分析灰口鑄鐵，不知道是否可信。畢竟幾十年的(OES)工作經(jīng)驗(yàn)，告訴我們，灰口鑄鐵必須白口化（也就是急冷使得片狀石墨的灰鐵變成游離碳化物，以滲碳體的白口鑄鐵），才能用光譜儀分析。

直讀光譜儀是用電?。ɑ鸹ǎ┑母邷厥箻悠分懈鞣N元素從固態(tài)直接氣化并被激發(fā)而射出各元素的特征波長(zhǎng)，經(jīng)光柵分光后，成為按波長(zhǎng)排列的“光譜”，這些元素的特征光譜線通過(guò)出射狹縫，射入各自的檢測(cè)器，光信號(hào)變成電信號(hào)，經(jīng)儀器的控制測(cè)量系統(tǒng)將電信號(hào)積分并進(jìn)行模/數(shù)轉(zhuǎn)換，然后由計(jì)算機(jī)處理，并計(jì)算出各元素的百分含量。

光電光譜分析選用的分析線，必需符合下列要求

直讀光譜分析時(shí)，一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時(shí)常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成，常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對(duì)要求均稱，就是當(dāng)激發(fā)光源有波動(dòng)時(shí)，兩條線對(duì)的譜線強(qiáng)度雖有變化，但強(qiáng)度比或相對(duì)強(qiáng)度能保持不變。

如R表示強(qiáng)度比即        

R=I1/I0

I1為分析線的強(qiáng)度，Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度，表明I1和Io同時(shí)變，而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。

在光電直讀光譜分析時(shí)，有很多分析通道，要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難，因此采用一個(gè)內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線，這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來(lái)解決。

光電法時(shí)，有時(shí)還用內(nèi)標(biāo)線來(lái)控制曝光量，稱為自動(dòng)曝光，也就是樣品在曝光時(shí)，分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電，當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時(shí)，自動(dòng)截止曝光。此時(shí)分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I，并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io，而此時(shí)Io保持常數(shù))這個(gè)強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測(cè)光讀數(shù)所表示。

現(xiàn)在一般采用計(jì)時(shí)曝光法較為普遍。