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由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管。

SBD的結構及特點使其適合于在低壓、DA電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。

為解決SBD在高溫下易產生由金屬-半導體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產品系列通過歐盟rosh以及美國ul認證，銷售覆蓋全球。

ASEMI肖特基二極管與快恢復二極管有什么區(qū)別?

這是兩種工藝的芯片技術，勢壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復二極管更高，TRR參數(shù)只幾nS,基本忽略，正向導通電壓低，只零點幾伏（低自身功耗），但點壓不高，一般只能做到200V，現(xiàn)在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數(shù)需求可以詳詢ASEMI在線客服。

MUR2060CTR產品參數(shù)與整流原理圖

“陽”指的是正極、正向電流或者指輸入，“共陽”意味著共用一條引線作為輸入端。MUR2060CTR是共陽管，就表明這個型號的快恢復二極管的輸入正向電流是共用一條引線的。由下圖可知，MUR2060CTR采用的是TO-220封裝，有3條引腳，即引線；共用的一條引線為中間的引腳，因此電流方向是兩段輸出，中間輸入的。