四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼，干燥，通風的庫房內(nèi)，嚴禁曝曬，遠離熱源。它在大氣中的壽命約為50,000年，全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會破壞臭氧層。在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應。

電子四氟化碳是目前半導體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一，在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻，以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護航，保證四氟化碳（CF4）的純度和安全穩(wěn)定使用。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分，經(jīng)精餾而得成品。由碳與氟反應，或與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，都能生成四氟化碳。