數(shù)字補(bǔ)償隨著補(bǔ)償技術(shù)的發(fā)展，很多數(shù)字化補(bǔ)償DTCXO開始出現(xiàn)。D為Digital。利用補(bǔ)償電路的溫度和電壓變化，再加A/D變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度補(bǔ)償。這種方法成本高，電路復(fù)雜，適用于高精度的應(yīng)用。

      用MCU技術(shù)進(jìn)行溫度數(shù)字補(bǔ)償為MCXO。MCU對(duì)溫度傳感器的溫度值采樣后把結(jié)果存入單片機(jī)。輸出補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號(hào)到高精度D/A轉(zhuǎn)換，再將它送給補(bǔ)償電路得到補(bǔ)償電壓。通過補(bǔ)償電壓對(duì)振蕩頻率進(jìn)行補(bǔ)償，來減少溫度變化對(duì)晶振穩(wěn)定度的影響。

晶體振蕩器頻率控制方法

振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實(shí)現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容，而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關(guān)切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲，但牽引范圍被限制在約±200ppm。當(dāng)系統(tǒng)應(yīng)用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時(shí)，用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構(gòu)，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁└哌_(dá)±1600ppm的牽引范圍。

溫補(bǔ)振蕩器廣泛應(yīng)用

現(xiàn)代電子,通信設(shè)備對(duì)時(shí)鐘源的準(zhǔn)確度有著越來越高的要求.在獲得時(shí)鐘源的各種方法中,晶體振蕩器有著優(yōu)良的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性而獲得廣泛應(yīng)用.但是晶體振蕩器的振蕩頻率還是會(huì)受到一些因素的影響(如電磁干擾,機(jī)械震動(dòng),濕度和溫度等),特別是溫度對(duì)振蕩器的振蕩頻率影響很大.為了獲得準(zhǔn)確的頻率源,就要在一定溫度范圍對(duì)振蕩器電路進(jìn)行補(bǔ)償. 本文對(duì)溫度補(bǔ)償晶體振蕩器電路進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì).主要包括可調(diào)頻率振蕩器,帶隙測(cè)溫電路,模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(AD),以及低壓線性轉(zhuǎn)換器(LDO).

使用溫補(bǔ)振蕩器的注意事項(xiàng)

溫補(bǔ)晶體振蕩器,包括基板,所述基板的上側(cè)設(shè)置有外殼,所述外殼的上側(cè)設(shè)置有封裝蓋,所述外殼的內(nèi)側(cè)開設(shè)有芯片安裝腔,所述芯片安裝腔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有振蕩電路芯片,所述芯片安裝腔的上側(cè)開設(shè)有振蕩安裝腔,所述振蕩安裝腔的內(nèi)側(cè)設(shè)置有石英振蕩片,所述外殼的外表面設(shè)置有散熱片;通過設(shè)計(jì)在振蕩器外殼上的散熱片,在使用時(shí)可以通過散熱片加快振蕩器產(chǎn)生的熱量,減少熱量對(duì)振蕩器的影響,且在運(yùn)輸時(shí)振蕩器可以通過振蕩器外殼兩端交錯(cuò)設(shè)置的散熱片相互卡合,使振蕩器碼放更加穩(wěn)定,防止因?yàn)榛蝿?dòng)導(dǎo)致振蕩器撞擊出現(xiàn)損壞.