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發(fā)布時間:2021-09-22 13:44  

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依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學.半導體化學基礎(chǔ)理論等, 對硅單品片化學機械拋光( CMP )機

理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光液是一個復雜的多相反應(yīng) ,它存在著兩個動力學過程:

(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應(yīng)的主體。

(2 )拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應(yīng)的硅單品重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。