濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學(xué)反應(yīng)過程，是指利用溶液與預(yù)刻蝕材料之間的化學(xué)反應(yīng)來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡單、成本低。

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刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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