化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。化學(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積的區(qū)別

化學(xué)氣相沉積過程中有化學(xué)反應(yīng)，多種材料相互反應(yīng)，生成新的的材料。

物理氣相沉積中沒有化學(xué)反應(yīng)，材料只是形態(tài)有改變。

物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。

化學(xué)雜質(zhì)難以去除。優(yōu)點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好

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等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。期望大家在選購化ICP刻蝕機(jī)時多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯過細(xì)節(jié)疑問。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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