光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。光刻膠的應用1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認可。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領(lǐng)域全球市場規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場約13.5億美元；國內(nèi)市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業(yè)通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發(fā)和技術(shù)服務上取得競爭優(yōu)勢，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢。四、前烘（SoftBake）完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；國家重點支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發(fā)展的新材料技術(shù)”；光刻技術(shù)（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領(lǐng)域。2μm品牌產(chǎn)地型號厚度耐熱溫度應用Futurrex美國PR1-500A0。

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四、對準（Alignment）

光刻對準技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ，對準精度要求也越來越高 ，例如針對 45am線寬尺寸 ，對準精度要求在5am 左右。

受光刻分辨力提高的推動 ，對準技術(shù)也經(jīng)歷 迅速而多樣的發(fā)展 。從對準原理上及標記結(jié) 構(gòu)分類 ，對準技術(shù)從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ，包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等，一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。有專家提出，盡管國產(chǎn)光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內(nèi)普通面板的生產(chǎn)企業(yè)盡快用起來。從對準信號上分 ，主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。

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正膠PR1-2000A1技術(shù)資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進器、掃描投影對準器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達2年。