華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個(gè) 8

3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開(kāi)關(guān) 個(gè) 5

9 尖峰抑制電容 個(gè) 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2

11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2

12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3

13 被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān) 個(gè) 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、關(guān)斷時(shí)間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時(shí)間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon：10W～250kW 關(guān)斷時(shí)間測(cè)試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;

開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被測(cè)雙脈沖觸發(fā)信號(hào)，開(kāi)通和關(guān)斷被測(cè)器件兩次，被測(cè)器件次開(kāi)通后，集電極電流IC上升，直至被測(cè)器件飽和導(dǎo)通且IC達(dá)到測(cè)試規(guī)定值時(shí)，關(guān)斷被測(cè)器件(設(shè)為t1時(shí)刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時(shí)，第二次開(kāi)通被測(cè)器件(設(shè)為t2時(shí)刻)，此后電感L中的電流向IC轉(zhuǎn)移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測(cè)器件再次達(dá)到飽和導(dǎo)通時(shí)(設(shè)為t3時(shí)刻)，關(guān)斷被測(cè)器件。1開(kāi)通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導(dǎo)通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。