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IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因

IGBT在使用過(guò)程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，承受過(guò)負(fù)荷甚至負(fù)載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況——過(guò)電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時(shí)，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過(guò)IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過(guò)電壓損壞可分為集電極-柵極過(guò)電壓、柵極-發(fā)射極過(guò)電壓、高du/dt過(guò)壓電等。大多數(shù)過(guò)電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善，但是對(duì)于由高du/dt所導(dǎo)致的過(guò)電壓故障，基本上都是采用無(wú)感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對(duì)此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制，當(dāng)集電極電壓瞬間超過(guò)齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過(guò)電壓而損壞。冷卻：更換雜質(zhì)、離子過(guò)濾芯，更換蒸餾水，檢測(cè)漏水，水的電導(dǎo)率。

采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決過(guò)高的du/dt帶來(lái)的集電極發(fā)射極瞬間過(guò)電壓?jiǎn)栴}，但是它的弊端是當(dāng)IGBT處于感性負(fù)載運(yùn)行時(shí)，半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時(shí)的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流，流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過(guò)IGBT的開(kāi)通門(mén)限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)致變換器的橋臂短路。本公司自成立以來(lái)已經(jīng)和全國(guó)各地多家醫(yī)療機(jī)構(gòu)、設(shè)備代理商以及維修商展開(kāi)合作。

廣州欣貝科技有限公司專(zhuān)業(yè)提供各品牌鈥激光設(shè)備維修，本公司秉承專(zhuān)業(yè)、誠(chéng)信、、超越的經(jīng)營(yíng)理念期待與客戶(hù)建立長(zhǎng)期穩(wěn)定、互利共贏的合作關(guān)系!

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設(shè)備名稱(chēng)：科醫(yī)人鈥激光設(shè)備

故障現(xiàn)象：設(shè)備在使用過(guò)程中，無(wú)法使用大功率。

檢測(cè)結(jié)果：經(jīng)我方工程師現(xiàn)場(chǎng)勘察排查確定是鏡片損壞。

解決方案：更換配件，功率校準(zhǔn)，光路調(diào)試。開(kāi)機(jī)試機(jī)，一次通過(guò)！

廣州欣貝科技有限公司專(zhuān)業(yè)維修：科醫(yī)人、愛(ài)科凱能、瑞科恩、普東、大華、大族科瑞達(dá)、麗薩、利索、多尼爾等所有品牌的鈥激光設(shè)備；進(jìn)口配件，精細(xì)精密，專(zhuān)業(yè)專(zhuān)注，維修周期短，性?xún)r(jià)比高，質(zhì)量保證！

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光纖清洗滅菌管理：

1. 專(zhuān)科專(zhuān)人清洗；

2. 常規(guī)行光纖檢測(cè)、剪斷、外包層剝脫及切割；

3. 明確標(biāo)示，果斷淘汰；

4. 規(guī)范盤(pán)繞固定；

5. 低溫滅菌：環(huán)氧乙1烷、低溫等離子。

光纖存放管理：

1. 單獨(dú)存放，避免受壓；

2. 專(zhuān)人管理；

3. 實(shí)時(shí)調(diào)整基數(shù)，保證有備用光纖使用。