同方迪一高壓瓷片電容的特點

高壓瓷片電容的一個主要的特點就是耐壓高，2KV、3KV電壓很常見。電壓一般大于1KV的電壓。高壓瓷片電容器常規(guī)有2KV、3KV、4KV電壓。常用于高壓場合。較高的可達30KV的電壓。

高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點，適用于高壓旁路和耦合電路中，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質損耗，很適合在電視收接機和掃描等電路中使用。

高壓瓷片電容的典型作用是可以消除高頻干擾，廣泛應用于負離子產品、激光、控測設備、高壓包、點火器、發(fā)生器、變壓器、電力設備、倍壓模塊、焊機、靜電噴涂及其他需要高壓高頻的機電設備。

同方迪一主要供應清華同方的圓片瓷片電容，高壓瓷片電容主要特點：體積小，耐壓高，高頻損耗小，穩(wěn)定性好。

同方迪一分享高壓陶瓷電容和高壓瓷片電容的特點對比

堅信大伙兒是不是非常容易搞混高壓陶瓷電容和高壓高壓瓷片電容2個的定義，文中便是要為大伙兒理清這二種電子器件的差別，特性及其應用留意等。

高壓陶瓷電容的特性：

1.不用驗證

2.超高壓能夠 做到7KV在越高越少見了，

3.打印出方法和Y電容比無需把各國驗證打在商品表層，

4.電壓*少能夠 到16V

5.抗壓*大2.5倍一般生產制造是1.5倍的規(guī)范測

A型原材料的溝通交流穿透電壓特性外邊用環(huán)氧樹脂膠壓模包裹的陶瓷電容器的穿透電壓廠。與空隙長G(圓片半經與電級半經之差)的關聯(lián)。電力電容器的直徑為20mm,原材料相對介電常數為1460‘下稱A材),電級為銀電級。實驗標準為25℃,釋放50Hz交流電壓,電壓上升幅度為ZkV/s。

高壓瓷片電容特性：

1.常見于高壓場所

2.陶瓷有I類瓷，II類瓷，III類瓷之分，

3.I類瓷，NP0，溫度特性，頻率特性和電壓特性佳，因相對介電常數不高，因此容積做并不大

4.II類瓷，X7R其次，溫度特性和電壓特性不錯

5.III類瓷，相對介電常數高，因此 容積能夠做非常大，但溫度特性和電壓特性不大好。

6.瓷片電容器一般體積不大

此外，再注重一個關鍵特性：瓷介電力電容器穿透后，通常呈短路故障情況。（它是它的缺點）而薄膜電容器無效后，一般呈引路情況。

高壓瓷片電容和高壓陶瓷電容功能基本上是一樣的，一些細節(jié)會有些不同。所以在使用的時候也要注意到性能方面。

同方迪一分享瓷介電容的容量標識的幾種方法

一、直接標識：如其電解電容，容量47uf，電容耐壓25v。

二、使用單位nf：如上圖的滌綸電容，標稱4n7，即4.7nf，轉換為pf即為4700pf。還有的例如：10n，即0.01uf;33n，即0.033uf。后面的63是指電容耐壓63v。

三、數學計數法：如瓷介電容，標值104，容量就是：10x10000pf=0.1uf.如果標值473，即為47X1000pf=0.047uf。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。電容的使用，都應該在規(guī)定的耐壓下工作?，F在的好多質量不高的產品，就因為使用了耐壓不足的電容而引起故障（常見電容爆裂）。

同方迪一解析瓷片電容的ESR

電源的設計是決定了整個系統(tǒng)的性能和成本，很多時候大家都會忽略這個點。本文小編跟大家淺談瓷片的ESR。電容的參數是有很多的，在設計中C和ESR是很重要的，

C代表：電容容值。一般是指在1kHz，1V 等效AC電壓，直流偏壓為0V情況下測到的，也可有很多電容測量的環(huán)境不同。但有一點需注意，電容值C本身是會隨環(huán)境發(fā)生改變的。

ESR指的是電容等效串聯(lián)電阻。無論哪種電容都會有一個等效串聯(lián)電阻，當電容工作在諧振點頻率時，電容的容抗和感抗大小相等，于是等效成一個電阻，這個電阻就是ESR。因電容結構不同而有很大差異。鋁電解電容ESR一般由幾百毫歐到幾歐，瓷片電容一般為幾十毫歐，鉭電容介于鋁電解電容和瓷片電容之間。

瓷片電容存放電靠的是物理反應，因而具有很高的響應速度，可以應用到上G的場合。不過，瓷片電容因為介質不同，也呈現很大的差異。性能C0G材質的電容，溫度系數小，不過材質介電常數小，所以一般來說容值不可能做太大。性能Z5U/Y5V材質，這種材質介電常數大，容值能做到幾十微法。瓷片電容可以用作退耦電容，退耦電容需要滿足兩個要求，一個是容量需求，另一個是ESR需求。