現(xiàn)在很多的領(lǐng)域使用蝕刻是比較多的，關(guān)于玻璃蝕刻以及金屬蝕刻是有一定的區(qū)別的，那么這兩種之間的具體區(qū)別是怎樣的呢，腐蝕機(jī)廠家給您做下簡單的分析。    玻璃的蝕刻和金屬蝕刻不同，玻璃的蝕刻首先應(yīng)考慮防蝕層。防蝕層的傳統(tǒng)方法是采用石蠟在鍋內(nèi)熔化至沸，待冷卻到邊沿結(jié)皮后，用刷子趁熱把蠟薄薄的刷到玻璃上，然后再以手工刻畫蠟層，獲得圖文。顯然這種方式已不適應(yīng)生產(chǎn)的需要。    目前已普通采用抗蝕刻印料，通過絲網(wǎng)印刷悶在玻璃上直接獲得圖文的防蝕層。商品化的耐蝕印料為8200系列玻璃耐蝕油墨。該油墨有較好的抗蝕能力，外觀呈藍(lán)色黏稠狀，網(wǎng)印后室溫自干需24h，在75°c下干燥需2h。蝕刻機(jī)內(nèi)放入蝕刻液通過采用1:3的水溶液，也有采用40%的水溶液：98%=9:1的混合液。    有較強(qiáng)的腐蝕性，操作時(shí)應(yīng)特別注意環(huán)境的通風(fēng)與作業(yè)的防護(hù)。當(dāng)蝕刻機(jī)蝕刻到需求的深度時(shí)，以清水沖洗即可獲得清晰透明的蝕刻圖文。

腐蝕機(jī)，主要用于電路板精密線路蝕刻；也可用于硬板、軟板、軟硬結(jié)合板、SMT模板、微波混合電路、殼體的蝕刻加工。    電路板濕處理設(shè)備，含分藥液加工單元和水洗兩個(gè)單元，中間和尾端有風(fēng)干裝置。用向移動(dòng)的工件噴射藥液的方式，對(duì)工件進(jìn)行顯影、蝕刻、去膜、水洗加工，是由液體噴射系統(tǒng)和工件移動(dòng)運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)組成的。    所用液體為蝕刻劑時(shí)，蝕刻劑與電路板上的抗蝕劑不發(fā)生作用，只與未被抗蝕劑保護(hù)的在外的銅箔反應(yīng)，使銅元素較終以化合物的形式溶解到蝕刻劑中，被從電路板基材上去除，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路板選擇性的蝕刻加工。

金屬在蝕刻機(jī)中的腐蝕過程，首先是在金屬零件表面發(fā)生晶粒的溶解作用，其次在晶界上也發(fā)生溶解作用，一般來講，晶界是以不同于晶粒的溶解速度發(fā)生溶解作用的。

在大多數(shù)金屬和合金的多晶體結(jié)構(gòu)中，各個(gè)晶體幾乎都能采取原子晶格的任何取向。而晶粒的不同取向、晶粒密度的大小及雜質(zhì)都會(huì)和周圍的母體金屬形成微觀或超微觀原電池。所以，對(duì)于金屬在蝕刻液中來講，一方面這些原電池的存在，使金屬表面存在著電位差，電位正的地方得到暫時(shí)的保護(hù)，電位負(fù)的地方在腐蝕機(jī)中被優(yōu)先蝕刻。另一方面在零件表面具有變化著的原子間距，而且原子間距較寬的地方溶解速度迅速，一直到顯示出不平整的表面為止。然后，溶解作用將以幾乎是恒定的速度切削緊密堆積的原子層，表面的幾何形狀也隨著晶粒的溶解而繼續(xù)不斷地變化。晶界上的蝕刻也將進(jìn)一步影響零件表面。在晶界上晶格的畸變和富集的雜質(zhì)，常常導(dǎo)致更加快速的蝕刻作用，從而可能會(huì)使整個(gè)晶粒受到凹坑狀的蝕刻。晶粒尺寸越小，蝕刻后表面粗糙度越低，這也可以從實(shí)際生產(chǎn)中得到證實(shí)。在生產(chǎn)中往往都是材料越均勻致密其表面越平滑。